SI5509DC-T1-GE3

Številka dela proizvajalca:	SI5509DC-T1-GE3
Proizvajalec:	Vishay / Siliconix
Del opisa:	MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
Podatkovni listi:	SI5509DC-T1-GE3 Podatkovni listi
Status brez svinca / status RoHS:	Brez svinca / skladno z RoHS
Stanje zalog:	Na zalogi
Pošlji iz:	Hong Kong
Način pošiljanja:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

OPOMBA: Vishay / Siliconix SI5509DC-T1-GE3 je na voljo na chipnets.com. Prodajamo samo nove in originalne dele in nudimo 1-letno garancijo. Če želite izvedeti več o izdelkih ali uporabiti boljšo ceno, nas kontaktirajte s klikom na spletni klepet ali nam pošljite ponudbo.

Vse komponente Eelctronics bodo zelo varno pakirane z antistatično zaščito pred ESD.

package

Specifikacija

Vrsta	Opis
Serije	TrenchFET®
Paket	Tape & Reel (TR)
Status dela	Obsolete
Vrsta FET	N and P-Channel
FET Feature	Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (Vdss)	20V
Tok - neprekinjen odtok (Id) pri 25 ° C	6.1A, 4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.6nC @ 5V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ Vds	455pF @ 10V
Moč - maks	4.5W
delovna temperatura	-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta pritrditve	Surface Mount
Paket / etui	8-SMD, Flat Lead
Paket dobaviteljskih naprav	1206-8 ChipFET™

MOŽNOSTI NAKUPA

Stanje zalog: Dostava še isti dan

Najmanj: 1

Količina	Cena na enoto	Ext. Cena
Cena ni na voljo, prosim RFQ

Izračun tovora

40 USD pri FedExu.

Pride v 3-5 dneh

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Brezplačna dostava prvih 0,5 kg za naročila nad 150 $, prekomerna teža se zaračuna posebej

Priljubljeni modeli

Ta izdelek je bil dodan v vaš voziček.