MMRF1306HR5

Številka dela proizvajalca:	MMRF1306HR5
Proizvajalec:	Rochester Electronics
Del opisa:	RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Podatkovni listi:	MMRF1306HR5 Podatkovni listi
Status brez svinca / status RoHS:	Brez svinca / skladno z RoHS
Stanje zalog:	Na zalogi
Pošlji iz:	Hong Kong
Način pošiljanja:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

OPOMBA: Rochester Electronics MMRF1306HR5 je na voljo na chipnets.com. Prodajamo samo nove in originalne dele in nudimo 1-letno garancijo. Če želite izvedeti več o izdelkih ali uporabiti boljšo ceno, nas kontaktirajte s klikom na spletni klepet ali nam pošljite ponudbo.

Vse komponente Eelctronics bodo zelo varno pakirane z antistatično zaščito pred ESD.

package

Specifikacija

Vrsta	Opis
Serije	-
Paket	Bulk
Status dela	Active
Tranzistorski tip	LDMOS (Dual)
Pogostost	230MHz
Dobite	24dB
Napetost - preizkus	50 V
Trenutna ocena (amperi)	-
Slika hrupa	-
Tok - preizkus	100 mA
Moč - izhodna moč	1250W
Napetost - ocenjena	133 V
Paket / etui	SOT-979A
Paket dobaviteljskih naprav	NI-1230-4H

MOŽNOSTI NAKUPA

Stanje zalog: 41

Najmanj: 1

Količina	Cena na enoto	Ext. Cena
Cena ni na voljo, prosim RFQ

Izračun tovora

40 USD pri FedExu.

Pride v 3-5 dneh

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Brezplačna dostava prvih 0,5 kg za naročila nad 150 $, prekomerna teža se zaračuna posebej

Priljubljeni modeli

	MMRF1005HR5 NXP Semiconductors
	MMRF1004NR1 NXP Semiconductors
	MMRF1020-04NR3 Rochester Electronics
	MMRF1004GNR1 NXP Semiconductors
	MMRF1317HR5 NXP Semiconductors
	MMRF1306HR5 Rochester Electronics
	MMRF1312HR5 NXP Semiconductors
	MMRF2010GNR1 NXP Semiconductors
	MMRF1011HR5 NXP Semiconductors
	MMRF1304NR1 NXP Semiconductors

Ta izdelek je bil dodan v vaš voziček.