GT30J121(Q)

Številka dela proizvajalca:	GT30J121(Q)
Proizvajalec:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Del opisa:	IGBT 600V 30A 170W TO3PN
Podatkovni listi:	GT30J121(Q) Podatkovni listi
Status brez svinca / status RoHS:	Brez svinca / skladno z RoHS
Stanje zalog:	Na zalogi
Pošlji iz:	Hong Kong
Način pošiljanja:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

OPOMBA: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation GT30J121(Q) je na voljo na chipnets.com. Prodajamo samo nove in originalne dele in nudimo 1-letno garancijo. Če želite izvedeti več o izdelkih ali uporabiti boljšo ceno, nas kontaktirajte s klikom na spletni klepet ali nam pošljite ponudbo.

Vse komponente Eelctronics bodo zelo varno pakirane z antistatično zaščito pred ESD.

package

Specifikacija

Vrsta	Opis
Serije	*
Paket	Tube
Status dela	Active
Vrsta IGBT	-
Napetost - razčlenitev oddajnika kolektorja (maks.)	600 V
Tok - zbiralnik (Ic) (maks.)	30 A
Tok - impulzni kolektor (Icm)	60 A
Vce (vklopljeno) (največ) @ Vge, Ic	2.45V @ 15V, 30A
Moč - maks	170 W
Preklop energije	1mJ (on), 800µJ (off)
Vrsta vnosa	Standard
Gate Charge	-
Td (vklop / izklop) pri 25 ° C	90ns/300ns
Preskusni pogoj	300V, 30A, 24Ohm, 15V
Povratni čas obnovitve (trr)	-
delovna temperatura	-
Vrsta pritrditve	Through Hole
Paket / etui	TO-3P-3, SC-65-3
Paket dobaviteljskih naprav	TO-3P(N)

MOŽNOSTI NAKUPA

Stanje zalog: Dostava še isti dan

Najmanj: 1

Količina	Cena na enoto	Ext. Cena
Cena ni na voljo, prosim RFQ

Izračun tovora

40 USD pri FedExu.

Pride v 3-5 dneh

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Brezplačna dostava prvih 0,5 kg za naročila nad 150 $, prekomerna teža se zaračuna posebej

Priljubljeni modeli

	GT30J121(Q) Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	GT30J341,Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Ta izdelek je bil dodan v vaš voziček.