RQ3E100BNTB

Številka dela proizvajalca:	RQ3E100BNTB
Proizvajalec:	ROHM Semiconductor
Del opisa:	MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
Podatkovni listi:	RQ3E100BNTB Podatkovni listi
Status brez svinca / status RoHS:	Brez svinca / skladno z RoHS
Stanje zalog:	Na zalogi
Pošlji iz:	Hong Kong
Način pošiljanja:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

OPOMBA: ROHM Semiconductor RQ3E100BNTB je na voljo na chipnets.com. Prodajamo samo nove in originalne dele in nudimo 1-letno garancijo. Če želite izvedeti več o izdelkih ali uporabiti boljšo ceno, nas kontaktirajte s klikom na spletni klepet ali nam pošljite ponudbo.

Vse komponente Eelctronics bodo zelo varno pakirane z antistatično zaščito pred ESD.

package

Specifikacija

Vrsta	Opis
Serije	-
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status dela	Active
Vrsta FET	N-Channel
Tehnologija	MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (Vdss)	30 V
Tok - neprekinjen odtok (Id) pri 25 ° C	10A (Ta)
Pogonska napetost (največja vklopljena, najmanjša vklopna)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (največ)	±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ Vds	1100 pF @ 15 V
FET Feature	-
Moč (Max)	2W (Ta)
delovna temperatura	150°C (TJ)
Vrsta pritrditve	Surface Mount
Paket dobaviteljskih naprav	8-HSMT (3.2x3)
Paket / etui	8-PowerVDFN

MOŽNOSTI NAKUPA

Stanje zalog: 9800

Najmanj: 1

Količina	Cena na enoto	Ext. Cena
Cena ni na voljo, prosim RFQ

Izračun tovora

40 USD pri FedExu.

Pride v 3-5 dneh

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Brezplačna dostava prvih 0,5 kg za naročila nad 150 $, prekomerna teža se zaračuna posebej

Priljubljeni modeli

Ta izdelek je bil dodan v vaš voziček.