RM12N650IP

Številka dela proizvajalca:	RM12N650IP
Proizvajalec:	Rectron USA
Del opisa:	MOSFET N-CH 650V 11.5A TO251
Status brez svinca / status RoHS:	Brez svinca / skladno z RoHS
Stanje zalog:	Na zalogi
Pošlji iz:	Hong Kong
Način pošiljanja:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

OPOMBA: Rectron USA RM12N650IP je na voljo na chipnets.com. Prodajamo samo nove in originalne dele in nudimo 1-letno garancijo. Če želite izvedeti več o izdelkih ali uporabiti boljšo ceno, nas kontaktirajte s klikom na spletni klepet ali nam pošljite ponudbo.

Vse komponente Eelctronics bodo zelo varno pakirane z antistatično zaščito pred ESD.

package

Specifikacija

Vrsta	Opis
Serije	-
Paket	Tube
Status dela	Active
Vrsta FET	N-Channel
Tehnologija	MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (Vdss)	650 V
Tok - neprekinjen odtok (Id) pri 25 ° C	11.5A (Tc)
Pogonska napetost (največja vklopljena, najmanjša vklopna)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (največ)	±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ Vds	870 pF @ 50 V
FET Feature	-
Moč (Max)	101W (Tc)
delovna temperatura	-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta pritrditve	Through Hole
Paket dobaviteljskih naprav	TO-251
Paket / etui	TO-251-3 Stub Leads, IPak

MOŽNOSTI NAKUPA

Stanje zalog: Dostava še isti dan

Najmanj: 1

Količina	Cena na enoto	Ext. Cena
Cena ni na voljo, prosim RFQ

Izračun tovora

40 USD pri FedExu.

Pride v 3-5 dneh

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Brezplačna dostava prvih 0,5 kg za naročila nad 150 $, prekomerna teža se zaračuna posebej

Priljubljeni modeli

Ta izdelek je bil dodan v vaš voziček.