SIS430DN-T1-GE3

Številka dela proizvajalca:	SIS430DN-T1-GE3
Proizvajalec:	Vishay / Siliconix
Del opisa:	MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
Podatkovni listi:	SIS430DN-T1-GE3 Podatkovni listi
Status brez svinca / status RoHS:	Brez svinca / skladno z RoHS
Stanje zalog:	Na zalogi
Pošlji iz:	Hong Kong
Način pošiljanja:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

OPOMBA: Vishay / Siliconix SIS430DN-T1-GE3 je na voljo na chipnets.com. Prodajamo samo nove in originalne dele in nudimo 1-letno garancijo. Če želite izvedeti več o izdelkih ali uporabiti boljšo ceno, nas kontaktirajte s klikom na spletni klepet ali nam pošljite ponudbo.

Vse komponente Eelctronics bodo zelo varno pakirane z antistatično zaščito pred ESD.

package

Specifikacija

Vrsta	Opis
Serije	TrenchFET®
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status dela	Obsolete
Vrsta FET	N-Channel
Tehnologija	MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (Vdss)	25 V
Tok - neprekinjen odtok (Id) pri 25 ° C	35A (Tc)
Pogonska napetost (največja vklopljena, najmanjša vklopna)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (največ)	±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ Vds	1600 pF @ 12.5 V
FET Feature	-
Moč (Max)	3.8W (Ta), 52W (Tc)
delovna temperatura	-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta pritrditve	Surface Mount
Paket dobaviteljskih naprav	PowerPAK® 1212-8
Paket / etui	PowerPAK® 1212-8

MOŽNOSTI NAKUPA

Stanje zalog: Dostava še isti dan

Najmanj: 1

Količina	Cena na enoto	Ext. Cena
Cena ni na voljo, prosim RFQ

Izračun tovora

40 USD pri FedExu.

Pride v 3-5 dneh

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Brezplačna dostava prvih 0,5 kg za naročila nad 150 $, prekomerna teža se zaračuna posebej

Priljubljeni modeli

Ta izdelek je bil dodan v vaš voziček.